[发明专利]一种SRAM读写结构及其测试方法有效
| 申请号： | 202010336927.8 | 申请日： | 2020-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN111508540B | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 汪雪娇;徐翠芹;赵彤;刘巍 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/419 | 分类号： | G11C11/419;G11C29/50 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明提供一种SRAM读写结构及其测试方法，第一、第二PMOS和第一至第四NMOS；其中第一PMOS、第一NMOS和第二PMOS、第二NMOS组成两对相互交叉的耦合反相器；第三NMOS通过连接于反相器的输入端Q、第四NMOS通过连接于反相器的输出端QB将SRAM读写结构内部存储的数据与外围电路进行交互；第三NMOS和第四NMOS的背栅分别连接有电压V |
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| 搜索关键词： | 一种 sram 读写 结构 及其 测试 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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