[发明专利]半导体工艺腔室有效
申请号: | 202010322766.7 | 申请日: | 2020-04-22 |
公开(公告)号: | CN111503430B | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
发明(设计)人: | 纪克红;李冬冬 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | F16L59/02 | 分类号: | F16L59/02;C23C14/35 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;王婷 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种半导体工艺腔室,包括腔体以及设置在所述腔体内部的基座、压环和内衬及隔热环,其中:所述内衬环绕设置在所述腔体内侧,且所述内衬的下端部设置有支撑部,下端部用于在所述压环脱离所述基座时支撑所述压环;所述隔热环固定在所述内衬上,且所述隔热环始终位于所述压环的上方。应用本发明,可以有效降低压环的升温速度及工艺后压环的温度,可以避免压环温度过高,进而避免通过压环将热量传递给晶片,导致晶片边缘温度过高的现象发生。 | ||
搜索关键词: | 半导体 工艺 | ||
【主权项】:
暂无信息
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