[发明专利]半导体工艺腔室

权利要求书

1.一种半导体工艺腔室，其特征在于，包括腔体以及设置在所述腔体内部的基座、压环、内衬、隔热环和适配件，其中：

所述内衬环绕设置在所述腔体内侧，且所述内衬的下端部设置有支撑部，所述支撑部用于在所述压环脱离所述基座时支撑所述压环；

所述隔热环固定在所述内衬上，且始终位于所述压环的上方；

所述内衬包括上衬环，所述上衬环通过所述适配件与所述腔体固定连接，所述隔热环设置在所述上衬环的下端部；

所述隔热环与所述上衬环一体成型；

所述适配件内设置有用于通入冷却介质的冷却管道。

2.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述内衬还包括下衬环，

所述下衬环位于所述隔热环的下方，且与所述上衬环固定连接，所述支撑部设于所述下衬环的下端部。

3.根据权利要求1或2所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述隔热环自所述上衬环的下端部向所述上衬环的径向延伸。

4.根据权利要求2所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述下衬环的上端设置有法兰，所述法兰的上端面与所述上衬环的下端面相互叠置，且通过多个螺钉固定连接，其中，多个所述螺钉沿所述上衬环的周向间隔分布。

5.根据权利要求4所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述法兰的上端面与所述上衬环的下端面通过至少两个销钉定位，并且所述至少两个所述销钉沿所述上衬环的周向间隔分布。

6.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述内衬与所述腔体接触部分的厚度大于所述内衬其他部分的厚度。

7.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述隔热环与所述压环之间的最小距离小于或等于5mm。

8.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述隔热环的内径大于所述压环的内径。

9.根据权利要求8所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述隔热环的内径与所述压环的内径的差值范围为5mm-10mm。