[发明专利]开关LDMOS器件及制造方法在审
| 申请号： | 202010321166.9 | 申请日： | 2020-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN111370491A | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 杨新杰;金锋;乐薇;张晗;宋亮 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦健 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种开关LDMOS器件，在半导体衬底中具有第一阱中，包含有所述开关LDMOS器件的LDD区及第二导电类型的第一体掺杂区；在所述的LDD区中，具有作为源区的第一重掺杂区，在第一体掺杂区中，具有作为漏区的第二重掺杂区；在栅极结构之下、LDD区与体掺杂区之间的半导体衬底表层形成所述开关LDMOS器件的沟道，在栅极施加电压超过所述LDMOS器件的阈值电压时，沟道反型使得源区与漏区之间导通；所述LDD区及体掺杂区远离栅极结构的一侧均具有场氧或者STI，所述场氧或者STI的一侧是与LDD中的第一重掺杂区或第一体掺杂区的第二重掺杂区相接。本发明体掺杂区以更高的离子注入的能量和离子注入的剂量实现提高器件的击穿电压BV且缩小器件尺寸的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 开关 ldmos 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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