[发明专利]开关LDMOS器件及制造方法

权利要求书

1.一种开关LDMOS器件，形成于半导体衬底中的一具有第一导电类型的第一阱中，其特征在于：在所述的第一阱中，包含有所述开关LDMOS器件的LDD区及第二导电类型的第一体掺杂区；在LDD区与第二导电类型的体掺杂区之间的衬底表面，形成有所述开关LDMOS器件的栅极结构；

所述栅极结构包含有覆盖于衬底表面的栅介质层，以及覆盖于栅介质层之上的多晶硅栅极；在栅极结构的两侧还具有栅极侧墙；

在所述的LDD区中，具有第二导电类型的第一重掺杂区，所述第一重掺杂区的一侧与栅极侧墙的边沿相接，第一重掺杂区作为所述开关LDMOS器件的源区；

在第一体掺杂区中，具有第二导电类型的第二重掺杂区，所述第二重掺杂区的一侧与栅极侧墙的边沿相接，第二重掺杂区作为所述开关LDMOS器件的漏区；

在栅极结构之下、LDD区与体掺杂区之间的半导体衬底表层形成所述开关LDMOS器件的沟道，在栅极施加电压超过所述LDMOS器件的阈值电压时，沟道反型使得源区与漏区之间导通；

所述LDD区及体掺杂区远离栅极结构的一侧均具有场氧或者STI，所述场氧或者STI的一侧是与LDD中的第一重掺杂区或第一体掺杂区的第二重掺杂区相接。

2.如权利要求1所述的开关LDMOS器件，其特征在于：所述的第一阱中，在靠第一体掺杂区的场氧或者STI的远离栅极结构的外侧还具有第一导电类型的第三重掺杂区，所述第三重掺杂区形成引出区将第一阱引出电极。

3.如权利要求1所述的开关LDMOS器件，其特征在于：在所述的场氧或者STI上，还包含有第二栅极结构，所述第二栅极结构与所述开关LDMOS器件的栅极结构同步刻蚀形成，所述第二栅极结构作为第一重掺杂区和/或第二重掺杂区的自对准注入的掩膜使用，在完成自对准注入后，所述第二栅极结构可选择性地被去除或者保留。

4.如权利要求1所述的开关LDMOS器件，其特征在于：所述的第二导电类型的第一体掺杂区为自对准注入形成。

5.如权利要求1或2所述的开关LDMOS器件，其特征在于：所述的第一导电类型为P型，第二导电类型为N型；或者是，所述第一导电类型为N型，第二导电类型为P型。

6.一种开关LDMOS器件，形成于半导体衬底中的一具有第一导电类型的第一阱中，其特征在于：

在所述的第一阱中，包含有第二导电类型的第一体掺杂区及第一导电类型的第二体掺杂区；在第一体掺杂区与第二体掺杂区之间的衬底表面，形成有所述开关LDMOS器件的栅极结构；

所述栅极结构包含有覆盖于衬底表面的栅介质层，以及覆盖于栅介质层之上的多晶硅栅极；在栅极结构的两侧还具有栅极侧墙；

在所述的第二体掺杂区中，具有第二导电类型的第一重掺杂区，所述第一重掺杂区的一侧与栅极侧墙的边沿相接，第一重掺杂区作为所述开关LDMOS器件的源区；

在第一体掺杂区中，具有第二导电类型的第二重掺杂区，所述第二重掺杂区的一侧与栅极侧墙的边沿相接，第二重掺杂区作为所述开关LDMOS器件的漏区；

在栅极结构之下、第二体掺杂区与第一体掺杂区之间的半导体衬底表层形成所述开关LDMOS器件的沟道，在栅极施加电压超过所述LDMOS器件的阈值电压时，沟道反型使得源区与漏区之间导通；

所述第二体掺杂区及第一体掺杂区远离栅极结构的一侧均具有场氧或者STI，所述场氧或者STI的一侧是与第二体掺杂区中的第一重掺杂区或第一体掺杂区的第二重掺杂区相接。

7.如权利要求6所述的开关LDMOS器件，其特征在于：所述的第一阱中，在靠第一体掺杂区的场氧或者STI的远离栅极结构的外侧还具有第一导电类型的第三重掺杂区，所述第三重掺杂区形成引出区将第一阱引出电极。

8.如权利要求6所述的开关LDMOS器件，其特征在于：在所述的场氧或者STI上，还包含有第二栅极结构，所述第二栅极结构与所述开关LDMOS器件的栅极结构同步刻蚀形成，所述第二栅极结构作为第一重掺杂区和/或第二重掺杂区的自对准注入的掩膜使用，在完成自对准注入后，所述第二栅极结构可选择性地被去除或者保留。