[发明专利]一种低温键合铝包铜材料及其使用工艺有效
| 申请号： | 202010318138.1 | 申请日： | 2020-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN111490028B | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 张卫红;唐宏浩;叶怀宇;张国旗 | 申请（专利权）人： | 深圳第三代半导体研究院 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888 | 代理人： | 彭随丽 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种低温键合铝包铜材料及其使用工艺，所述铝包铜材料i)核部分是铜，壳部分是铝；ii)核部分厚度尺寸在50nm～50um，壳部分厚度尺寸在5nm～5um。该材料通过施加超声和压力进行焊接。超声焊接的过程短，相比于加热烧结，大大节省封装的工时。氧化铝外层可以满足铜颗粒的抗氧化保护，无需特别外层抗氧化包覆，且可以在超声压力下，该氧化铝层破碎而暴露出新鲜的铝表面而实现铝‑铝结合，这个融合焊接可在较低加热温度甚至室温情况下实现颗粒间的融合。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 键合铝包铜 材料 及其 使用 工艺 | ||
【主权项】：
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