[发明专利]一种低温键合铝包铜材料及其使用工艺有效
| 申请号: | 202010318138.1 | 申请日: | 2020-04-21 |
| 公开(公告)号: | CN111490028B | 公开(公告)日: | 2022-04-05 |
| 发明(设计)人: | 张卫红;唐宏浩;叶怀宇;张国旗 | 申请(专利权)人: | 深圳第三代半导体研究院 |
| 主分类号: | H01L23/52 | 分类号: | H01L23/52;H01L21/768 |
| 代理公司: | 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888 | 代理人: | 彭随丽 |
| 地址: | 518055 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 低温 键合铝包铜 材料 及其 使用 工艺 | ||
1.一种低温键合铝包铜材料,其特征在于:所述铝包铜材料中
i)核部分是铜,壳部分是铝;ii)核部分厚度尺寸在50nm~100nm,壳部分厚度尺寸在10nm~50nm。
2.如权利要求1所述的一种低温键合铝包铜材料,其特征在于,所述壳表面与核表面到核心距离比例25%。
3.如权利要求1所述的一种低温键合铝包铜材料,其特征在于:所述铜选自:零维结构球状铜、一维结构线状铜、二维结构片状铜中的一种或多种。
4.如权利要求1-3所述的任何一种低温键合铝包铜材料的使用工艺,其特征在于:包括以下制备步骤:
I)将所述铝包铜材料与极性溶剂混合,按照摩尔比为65%~95%混合,得到第一混合膏体材料;
II)将所述第一混合膏体材料涂敷在基板上或者芯片上;
III)通过同时施加超声和压力进行焊接。
5.如权利要求4所述的一种低温键合铝包铜材料,其特征在于:所述极性溶剂选自醛、酮、羧酸、羧酸衍生物。
6.如权利要求5所述的使用工艺,其特征在于:所述超声的功率大于16KHz,所述压力为大于1 MPa。
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