[发明专利]半导体器件的耐量测试装置及方法有效
| 申请号： | 202010315718.5 | 申请日： | 2020-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN111337814B | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 赵建伟;姜明宝;李强 | 申请（专利权）人： | 吉林华微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 成都极刻智慧知识产权代理事务所(普通合伙) 51310 | 代理人： | 唐维虎 |
| 地址： | 132000 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供一种半导体器件的耐量测试装置及方法，通过电流冲击单元按照设定峰值电流值、设定电流上升率以及设定脉冲周期向待测半导体器件输入电流冲击信号，并通过测试单元测试待测半导体器件上的电流冲击信号、电流冲击信号的测试脉冲次数以及待测半导体器件的器件状态后，由主控单元根据待测半导体器件上的电流冲击信号、电流冲击信号的测试脉冲次数以及待测半导体器件的器件状态生成待测半导体器件的电流上升率耐量值。如此，能够将半导体器件的电流上升率耐受能力进行有效量化，以便于后续准确评估半导体器件的电流上升率耐受能力，进而采取必要手段降低半导体器件的失效比例。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 测试 装置 方法 | ||
【主权项】：
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