[发明专利]半导体器件的耐量测试装置及方法

权利要求书

1.一种半导体器件的耐量测试装置，其特征在于，与计算机设备通信连接，所述半导体器件的耐量测试装置包括：

电流冲击单元，用于按照设定峰值电流值、设定电流上升率以及设定脉冲周期向待测半导体器件输入电流冲击信号；

测试单元，用于测试所述待测半导体器件上的电流冲击信号、所述电流冲击信号的测试脉冲次数以及所述待测半导体器件的器件状态；

主控单元，分别与所述电流冲击单元和所述测试单元电性连接，并通过通信单元与所述计算机设备通信连接，用于将所述计算机设备发送的设定峰值电流值、设定电流上升率以及设定脉冲周期配置到所述电流冲击单元，并用于根据所述待测半导体器件上的电流冲击信号、所述电流冲击信号的测试脉冲次数以及所述待测半导体器件的器件状态生成所述待测半导体器件的电流上升率耐量值，并将所述电流上升率耐量值通过所述通信单元发送给所述计算机设备，其中，所述器件状态包括有效状态和失效状态；所述主控单元还用于根据所述待测半导体器件分别在不同的设定峰值电流值、设定电流上升率以及设定脉冲周期下的电流上升率耐量值，生成所述待测半导体器件的电流上升率耐量值的权衡值。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的耐量测试装置，其特征在于，所述电流冲击单元包括：

峰值电流控制电路，用于向待测半导体器件输入所述设定峰值电流值的电流冲击信号；

与所述峰值电流控制电路电性连接的di/dt控制电路，用于根据所述设定电流上升率控制所述电流冲击信号的电流上升率；

触发电流控制电路，用于按照所述设定脉冲周期控制所述电流冲击信号的脉冲触发信号的脉冲周期。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的耐量测试装置，其特征在于，所述触发电流控制电路包括：

触发电流控制子电路以及与所述触发电流控制子电路电性连接的触发周期控制子电路，所述触发周期控制子电路用于按照所述设定脉冲周期控制所述触发电流控制子电路的电流冲击信号的脉冲触发信号的脉冲周期。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的耐量测试装置，其特征在于，所述测试单元包括：

测试脉冲计数电路，所述测试脉冲计数电路用于测试所述电流冲击信号的测试脉冲次数；

冲击电流测试电路，所述冲击电流测试电路用于测试所述待测半导体器件上的电流冲击信号；

器件状态测试电路，所述器件状态测试电路用于测试所述待测半导体器件的器件状态。

5.根据权利要求4所述的半导体器件的耐量测试装置，其特征在于，所述测试单元还包括：

峰值电流测试电路，所述峰值电流测试电路用于测试所述电流冲击信号的峰值电流；

触发电流测试电路，所述触发电流测试电路用于测试所述待测半导体器件上的电流冲击信号的脉冲触发信号；

所述主控单元，还用于根据所述电流冲击信号的峰值电流和所述待测半导体器件上的电流冲击信号的脉冲触发信号确定所述电流冲击单元是否存在异常，并在确定所述电流冲击单元存在异常时输出异常结果。

6.根据权利要求1-5中任意一项所述的半导体器件的耐量测试装置，其特征在于，所述主控单元具体用于：

判断所述测试单元每次测试到电流冲击信号所对应的器件状态是否为失效状态；

当任意一次测试到电流冲击信号时所对应的器件状态为失效状态时，获取该次测试到电流冲击信号之前所对应的测试脉冲次数，并将所述测试脉冲次数确定为所述待测半导体器件的电流上升率耐量值；

当测试到电流冲击信号时所对应的器件状态为有效状态时，继续判断下一次测试到电流冲击信号时所对应的器件状态是否为失效状态，直到测试到电流冲击信号时所对应的器件状态为失效状态时，获取该次测试到电流冲击信号之前所对应的测试脉冲次数，并将所述测试脉冲次数确定为所述待测半导体器件的电流上升率耐量值。