[发明专利]一种功率半导体器件及其制作方法、沟槽版图结构在审
| 申请号： | 202010301015.7 | 申请日： | 2020-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN111370404A | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 高学 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种功率半导体器件及其制作方法、沟槽版图结构，沟槽版图结构包括若干相邻设置的沟槽单元，沟槽单元包括第一部分、第二部分和第三部分，第一部分和第三部分设置在第二部分的两侧，第一部分和第三部分在垂直于第二部分的延伸方向上的长度小于第二部分在垂直于其延伸方向上的长度。本发明通过第一部分和第三部分在垂直于第二部分的延伸方向上的长度小于第二部分在垂直于其延伸方向上的长度，使得在后续形成功率半导体器件时在其两端的沟槽中无法沉积源极而仅能沉积形成栅极，从而使得沟槽单元的两端上可以直接引出栅极，从而节省了专门形成引出栅极的连接孔的区域，提高了功率半导体器件的有效面积利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 及其 制作方法 沟槽 版图 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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