[发明专利]一种富Al刚玉结构Al-Cr-O薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 202010289300.1 | 申请日： | 2020-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN111455333B | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 邱万奇;万健;焦东玲;钟喜春;刘仲武 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/16;C23C14/08;C23C14/54;C23C14/02 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 罗啸秋 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明属于金属及其氧化物涂层技术领域，公开了一种富Al刚玉结构Al‑Cr‑O薄膜及其制备方法。首先在Ar气条件及基体温度为540～560℃利用直流磁控溅射纯Cr靶制备纯Cr过渡层，然后给基体施加‑150～‑100V范围内的脉冲直流负偏压，通入O |
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| 搜索关键词： | 一种 al 刚玉 结构 cr 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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