[发明专利]一种半导体芯片、制备方法及应用电路有效
| 申请号： | 202010285140.3 | 申请日： | 2020-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN111640780B | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 孙林弟;王海滨;林旭帆;金东;金燕 | 申请（专利权）人： | 浙江明德微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861;H01L27/02;H01L21/329;H02H5/04 |
| 代理公司： | 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人： | 董世博 |
| 地址： | 312000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体芯片、制备方法及应用电路，其中一种半导体芯片，包括：N型衬底，电阻率为0.2‑0.3Ω/cm；设置在N型衬底上下两侧的第一N型扩散层，结深为60～100μm，方块电阻为800～1500Ω/□；设置在第一N型扩散层中的P型扩散层，扩散结深为25～30μm，方块电阻为40～50Ω/□；在正面的P型扩散层上设置若干个第二N型扩散层，扩散结深为10～12μm，方块电阻0.6～0.8Ω/□；在围绕外围的第二N型扩散层上设置SiO2掩蔽层，厚度为2.5～3.0μm；在正面的第一N型扩散层设置正面金属层，材料为Al‑Ti‑Ni‑Ag，厚度3.5～4.0μm；在背面的第一N型扩散层设置背面金属层，材料为Al‑Ti‑Ni‑Ag，厚度3.5～4.0μm，由此形成NPNP型半导体结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 芯片 制备 方法 应用 电路 | ||
【主权项】：
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