[发明专利]刻蚀沟槽的方法在审
| 申请号： | 202010275676.7 | 申请日： | 2020-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN111584358A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 崔锺武;金成基;李俊杰;周娜;李琳;王垚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种刻蚀沟槽的方法，包括以下步骤：在半导体基体上形成模氧化层；在所述模氧化层上形成硬掩模层，所述硬掩模层的制备方法包括在硅源气体中添加掺杂气体沉积形成；所述掺杂气体选自硼源气体、碳源气体、氮源气体中的任一种或至少两种的组合；对所述硬掩模层进行构图；基于所述硬掩模层形成的图案对模氧化层进行刻蚀形成沟槽。本申请通过在在硅源气体中添加掺杂气体沉积形成硬掩模层，这样能让深宽比的电容器在模氧化层刻蚀时，减少硬掩模层膜厚的损失，使得模氧化层可以按照目标关键尺寸进行刻蚀，降低了模氧化层的刻蚀难度。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 沟槽 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
