[发明专利]刻蚀沟槽的方法在审
| 申请号： | 202010275676.7 | 申请日： | 2020-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN111584358A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 崔锺武;金成基;李俊杰;周娜;李琳;王垚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刻蚀 沟槽 方法 | ||
1.一种刻蚀沟槽的方法，其特征在于，包括以下步骤：
在半导体基体上形成模氧化层；
在所述模氧化层上形成硬掩模层，所述硬掩模层的制备方法包括在硅源气体中添加掺杂气体沉积形成；所述掺杂气体选自硼源气体、碳源气体、氮源气体中的任一种或至少两种的组合；
对所述硬掩模层进行构图；
基于所述硬掩模层形成的图案对模氧化层进行刻蚀形成沟槽。
2.根据权利要求1所述的刻蚀沟槽的方法，其特征在于，所述添加掺杂气体沉积为原位沉积的方式。
3.根据权利要求1所述的刻蚀沟槽的方法，其特征在于，所述硼源气体选自BCl3或B2H6。
4.根据权利要求1所述的刻蚀沟槽的方法，其特征在于，所述碳源气体选自C2H4或SiH3CH3。
5.根据权利要求1所述的刻蚀沟槽的方法，其特征在于，所述氮源气体选自NH3或N2H4。
6.根据权利要求1-6任一项所述的刻蚀沟槽的方法，其特征在于，所述掺杂气体中掺杂原子的浓度大于1E20cm-3且小于1E21cm-3。
7.根据权利要求1所述的刻蚀沟槽的方法，其特征在于，所述掺杂气体中包括硼源气体，沉积温度为400-450℃。
8.根据权利要求1所述的刻蚀沟槽的方法，其特征在于，所述掺杂气体选自碳源气体和/或氮源气体，沉积温度为520-535℃。
9.根据权利要求1所述的刻蚀沟槽的方法，其特征在于，还包括以下步骤：
所述模氧化层中或上面形成至少一层支撑层。
10.根据权利要求1所述的刻蚀沟槽的方法，其特征在于，所述沟槽为电容器沟槽。
11.根据权利要求10所述的刻蚀沟槽的方法，其特征在于，所述电容器为DRAM的部件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
