[发明专利]一种3D NAND存储器件的制造方法有效
| 申请号： | 202010273431.0 | 申请日： | 2020-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN111430362B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 张文杰;阳叶军;姚森 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B43/35 | 分类号： | H10B43/35;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 柳虹 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请提供一种3D NAND存储器件的制造方法，可以形成刻蚀选择比不均匀的刻蚀掩膜层，刻蚀掩膜层顶部具有更高的刻蚀选择比，因此刻蚀掩膜层在图案化的过程中，对掩膜图形的上部开口尺寸进行了限制，避免掩膜图形的上部开口被错误的扩大导致的掩膜图形不够准确的问题。之后，可以以刻蚀掩膜层为掩蔽，刻蚀形成贯穿至导电层的导电层接触孔和/或贯穿至台阶结构的台阶接触孔，由于第二掩膜层具有较高的刻蚀选择比，导电层接触图形和/或台阶接触图形更不易受损而变形，因此提高了接触孔的工艺质量，进而提高器件的工艺质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nand 存储 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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