[发明专利]半导体制造方法以及制造系统在审
| 申请号： | 202010271437.4 | 申请日： | 2020-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN113496951A | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 陈建;涂武涛;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明实施例他提供的一种半导体制造方法以及制造系统，用于执行刻蚀工艺，未刻蚀的晶圆为来料晶圆，已完成刻蚀的晶圆为输出晶圆，所述方法包括：采集所述来料晶圆上多个位置点的第一工艺数据；基于所述第一工艺数据调整多个位置点对应的第一刻蚀工艺参数，增加多个位置点刻蚀后的均一性；采集所述输出晶圆的第二工艺数据；基于所述第二工艺数据调整来料晶圆的第二刻蚀工艺参数，增加输出晶圆之间的均一性；根据所述第一刻蚀工艺参数和所述第二刻蚀工艺参数对来料晶圆进行刻蚀。本发明实施例从前馈和反馈两个方向上对工艺参数进行了校正，从而更加精准的控制了当前工艺中形成结构的高度或厚度，进而提高了半导体器件的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 方法 以及 系统 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
