[发明专利]半导体制造方法以及制造系统

权利要求书

1.一种半导体制造方法，用于执行刻蚀工艺，未刻蚀的晶圆为来料晶圆，已完成刻蚀的晶圆为输出晶圆，所述方法包括：

采集所述来料晶圆上多个位置点的第一工艺数据；

基于所述第一工艺数据调整多个位置点对应的第一刻蚀工艺参数，增加多个位置点刻蚀后的均一性；

采集所述输出晶圆的第二工艺数据；

基于所述第二工艺数据调整来料晶圆的第二刻蚀工艺参数，增加输出晶圆之间的均一性；

根据所述第一刻蚀工艺参数和所述第二刻蚀工艺参数对来料晶圆进行刻蚀。

2.如权利要求1所述的半导体制造方法，其特征在于，采集所述来料晶圆上多个位置点的第一工艺数据的步骤包括：测量所述来料晶圆上多位置点待刻蚀对象沟槽的特征尺寸及沟槽高度；根据特征尺寸与高度的关系，将测量得到的特征尺寸转化为等效高度，得出与所述沟槽高度和所述等效高度相关的第一工艺数据；基于所述第一工艺数据调整多个位置点对应的第一刻蚀工艺参数，增加多个位置点刻蚀后沟槽内材料高度的均一性。

3.如权利要求1所述的半导体制造方法，其特征在于，采集所述来料晶圆上多个位置点的第一工艺数据的步骤包括：测量所述来料晶圆上多位置点待刻蚀对象曝光后的特征尺寸；根据特征尺寸与高度的关系，得出与所述高度相关的第一工艺数据；

基于与所述高度相关的第一工艺数据调整多个位置点对应的第一刻蚀工艺参数，增加多个位置点刻蚀后高度的均一性。

4.如权利要求1所述的半导体制造方法，其特征在于，采集所述来料晶圆上多个位置点的第一工艺数据的步骤包括：测量所述来料晶圆上多位置点待刻蚀对象高度，得出与所述特征尺寸相关的第一工艺数据；基于与所述高度相关的第一工艺数据调整多个位置点对应的第一刻蚀工艺参数，增加多个位置点刻蚀后高度的均一性。

5.如权利要求1所述的半导体制造方法，其特征在于，所述第一刻蚀工艺参数为温敏参数，所述温敏参数是刻蚀速率随温度变化的数据。

6.如权利要求1所述的半导体制造方法，其特征在于，采集所述输出晶圆的第二工艺数据的步骤包括：测量所述输出晶圆上多位置点被刻蚀对象的特征尺寸；根据多位置点的高度获得高度平均值，获得与所述高度平均值相对应的第二工艺数据；基于与所述高度平均值相对应的第二工艺数据调整来料晶圆的第二刻蚀工艺参数，增加输出晶圆上被刻蚀对象高度的均一性。

7.如权利要求1所述的半导体制造方法，其特征在于，采集所述输出晶圆的第二工艺数据的步骤包括：测量所述输出晶圆上多位置点被刻蚀对象的特征尺寸；根据多位置点的特征尺寸获得特征尺寸平均值；获得与所述特征尺寸平均值相对应的第二工艺数据；基于与所述特征尺寸平均值相对应的第二工艺数据，调整来料晶圆的第二刻蚀工艺参数，增加输出晶圆上被刻蚀对象特征尺寸的均一性。

8.如权利要求1所述的半导体制造方法，其特征在于，所述第二刻蚀工艺参数为刻蚀时间参数，所述刻蚀时间参数是刻蚀量与刻蚀时间的对应关系。

9.如权利要求2所述的半导体制造方法，其特征在于，利用光学或电子显微镜测量特征尺寸。

10.如权利要求2所述的半导体制造方法，其特征在于，所述特征尺寸与高度的关系为线性关系，所述线性关系可以表示为Y’＝a(X-X0)+Y0；其中，X是特征尺寸，X0为基准点特征尺寸；Y’是高度；a转换系数，Y0为基准点高度，以来料晶圆中第一片晶圆作为基准点。