[发明专利]双沟道MOSFET、掩埋沟道晶体管及制造方法在审
| 申请号： | 202010270646.7 | 申请日： | 2020-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN111564495A | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 尹炅一;吴容哲;刘金彪;贺晓彬;王桂磊;丁明正 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/423;H01L21/336;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 付婧 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种双沟道MOSFET、掩埋沟道晶体管及制造方法，其中，双沟道MOSFET，包括：有源区；两个隔离结构，分别位于所述有源区的两侧；栅极氧化层，位于所述有源区上；其中，所述栅极氧化层包括具有两种不同厚度的多个区域；栅极层，位于所述有源区和所述隔离结构上。本申请实施例提供的双沟道MOSFET，能够在有源区形成不同的两个沟道，从而实现通过一个MOSFET实现两种具有不同特性的晶体管功能。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 mosfet 掩埋 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司，未经中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010270646.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
