[发明专利]双沟道MOSFET、掩埋沟道晶体管及制造方法

说明书

本申请公开了一种双沟道MOSFET、掩埋沟道晶体管及制造方法，其中，双沟道MOSFET，包括：有源区；两个隔离结构，分别位于所述有源区的两侧；栅极氧化层，位于所述有源区上；其中，所述栅极氧化层包括具有两种不同厚度的多个区域；栅极层，位于所述有源区和所述隔离结构上。本申请实施例提供的双沟道MOSFET，能够在有源区形成不同的两个沟道，从而实现通过一个MOSFET实现两种具有不同特性的晶体管功能。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种双沟道MOSFET、掩埋沟道晶体管及制造方法。

背景技术

芯片制造技术快速发展。作为重要元件的MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管，Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)的特性对于芯片性能的提升是非常重要的。MOSFET是构成DRAM的重要元件。MOSFET的重要特性可以包括快速整流(Switching)、高电流驱动(Current driving)能力和低漏电性三种。现有的MOSFET只包含一个沟道(chanel)，如图1和图2所示，在有源区(Active)4两侧分别为一隔离结构(fieldoxide)3，在有源区4上覆盖有一单一厚度的栅极氧化层1，多晶硅栅极2覆盖在栅极氧化层1、有源区4和隔离结构3上，该MOSFET只有单一沟道，一个MOSFET只能实现单一特性的晶体管功能。为了更好地实现复杂集成电路芯片的性能，每个电路所要求的MOSFET特性都不同，这就需要使用不同种类的晶体管，导致芯片上的晶体管的数量和种类有逐渐增加的趋势。

发明内容

本申请的目的是提供一种双沟道MOSFET、掩埋沟道晶体管及制造方法。为了对披露的实施例的一些方面有一个基本的理解，下面给出了简单的概括。该概括部分不是泛泛评述，也不是要确定关键/重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围。其唯一目的是用简单的形式呈现一些概念，以此作为后面的详细说明的序言。

根据本申请实施例的一个方面，提供一种双沟道MOSFET，包括：

有源区；

两个隔离结构，分别位于所述有源区的两侧；

栅极氧化层，位于所述有源区上；其中，所述栅极氧化层包括具有两种不同厚度的多个区域；

栅极层，位于所述有源区和所述隔离结构上。

根据本申请实施例的另一个方面，提供一种掩埋沟道晶体管，包括：

有源区，具有沟槽；

栅极氧化层，位于所述有源区的沟槽内；其中，所述栅极氧化层具有凹槽，且包括具有不同平均厚度的多个区域；

栅极层，位于所述栅极氧化层的凹槽内，且所述栅极层的顶面与所述栅极氧化层的两侧壁顶面相平齐；

隔离结构，位于所述栅极层的顶面和所述栅极氧化层的两侧壁顶面上，且所述隔离结构的顶面与所述有源区的顶面相平齐。

根据本申请实施例的另一个方面，提供一种双沟道MOSFET的制造方法，包括：

形成有源区以及位于所述有源区两侧的隔离结构；

在所述有源区上形成栅极氧化层；

选择性地刻蚀所述栅极氧化层，使所述栅极氧化层形成具有两种不同厚度的多个区域；

在所述有源区和所述隔离结构上形成栅极层。

根据本申请实施例的另一个方面，提供一种掩埋沟道晶体管的制造方法，包括：

在有源区上形成沟槽；

在所述沟槽内形成具有凹槽的栅极氧化层；