[发明专利]一种碳化硅晶体的加工方法有效
| 申请号： | 202010270072.3 | 申请日： | 2020-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN111545922B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 贾河顺;周敏;刘圆圆;梁庆瑞;赵吉强;辛鹏波 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/78;B23K26/362 |
| 代理公司： | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人： | 王宽 |
| 地址： | 250118 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种碳化硅晶体的加工方法，该方法包括以下步骤：(1)将碳化硅晶锭进行激光刻蚀，形成所需尺寸的晶体的边界；(2)在所述晶体表面粘附上薄膜后，进行激光辐照；(3)将所述粘附有薄膜的晶体从碳化硅晶锭上剥离下来；(4)将所述晶体与薄膜分离。本发明采用激光刻蚀和激光辐照两次激光处理，使得单位面积内产生更多的应力，在剥离时晶体能够更加弯曲折叠，不影响良率，且可以获得很薄的晶体。本发明可以实现超硬碳化硅晶体的加工，加工工艺简单，成品率高，可以切割成任意尺寸和形状的碳化硅微型晶体；且同时实现了对晶体的减薄处理。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 晶体 加工 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
