[发明专利]一种碳化硅晶体的加工方法

权利要求书

1.一种碳化硅晶体的加工方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

(1)将碳化硅晶锭进行激光刻蚀，形成所需尺寸的晶体的边界；

(2)在所述晶体表面粘附上薄膜后，进行激光辐照；

(3)将所述粘附有薄膜的晶体从碳化硅晶锭上剥离下来；

(4)将所述晶体与薄膜分离；

步骤(2)中所述薄膜采用具有高热膨胀系数的聚合物，所述聚合物选自含聚二甲基硅氧烷、聚乙烯、聚异丁烯和丁基橡胶薄膜中的至少一种，所述薄膜的粘附选自涂覆和薄膜粘结方式中的一种，所述薄膜的厚度为0.1-200μm；

相邻的所述晶体之间形成刻蚀的沟槽，所述刻蚀的沟槽内能够填充涂覆液或聚合物薄膜。

2.根据权利要求1所述的碳化硅晶体的加工方法，其特征在于，步骤(1)中，所述激光刻蚀的深度为0.1～1000μm，所述激光刻蚀的宽度为1～1000μm。

3.根据权利要求2所述的碳化硅晶体的加工方法，其特征在于，所述激光刻蚀的深度为20～200μm，所述激光刻蚀的宽度为30～50μm。

4.根据权利要求1所述的碳化硅晶体的加工方法，其特征在于，步骤(1)中，所述激光选自纳秒激光和飞秒激光中的至少一种。

5.根据权利要求4所述的碳化硅晶体的加工方法，其特征在于，

所述激光为飞秒激光；

所述激光的功率为10～1000W，所述激光刻蚀的时间为1～60s。

6.根据权利要求1所述的碳化硅晶体的加工方法，其特征在于，步骤(2)中，所述激光选自纳秒激光和飞秒激光中的至少一种。

7.根据权利要求6所述的碳化硅晶体的加工方法，

所述激光为飞秒激光；

所述激光辐照的深度与激光刻蚀的深度相同。

8.根据权利要求1所述的碳化硅晶体的加工方法，其特征在于，步骤(3) 中，冷却后，将所述粘附有薄膜的晶体从碳化硅晶锭上剥离下来。

9.根据权利要求8所述的碳化硅晶体的加工方法，其特征在于，

所述冷却选自液氮冷却和使用低温箱冷却中的至少一种。

10.根据权利要求1所述的碳化硅晶体的加工方法，其特征在于，步骤(4)中，采用化学溶剂腐蚀的方法清除所述晶体表面的薄膜，将所述晶体与薄膜分离；

和/或采用晶粒挑选机将所述晶体与薄膜分离。

11.权利要求1～10任一项所述的碳化硅晶体的加工方法在制作碳化硅微型晶体中的应用。

12.根据权利要求11所述的应用，其特征在于，所述碳化硅微型晶体的形状选自多边形、圆形、椭圆形和异形中的至少一种。

13.根据权利要求12所述的应用，其特征在于，所述碳化硅微型晶体的形状为正方形。

14.根据权利要求11所述的应用，其特征在于，所述碳化硅微型晶体的厚度为0.1～1000μm。

15.根据权利要求14所述的应用，其特征在于，

所述碳化硅微型晶体的厚度为20～200μm。