[发明专利]一种半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202010265132.2 | 申请日： | 2020-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN113497137A | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 邓光敏 | 申请（专利权）人： | 苏州捷芯威半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括衬底；位于衬底一侧的多层半导体层，多层半导体层中形成有二维电子气；位于多层半导体层远离衬底一侧的帽层结构，帽层结构消耗位于其下方的二维电子气；位于帽层结构远离多层半导体层一侧的栅极，位于多层半导体层远离衬底一侧的源极和漏极，栅极位于源极和漏极之间；栅极包括第一栅极分部和第二栅极分部，第一栅极分部与帽层结构形成欧姆接触，第二栅极分部与帽层结构形成肖特基接触，且至少部分第二栅极分部位于第一栅极分部靠近漏极的一侧。通过设置栅极分别与帽层结构分别形成欧姆接触和肖特基接触，保证可以降低半导体器件的栅漏电，同时提高半导体器件的阈值电压稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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