[发明专利]一种半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202010265132.2 | 申请日： | 2020-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN113497137A | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 邓光敏 | 申请（专利权）人： | 苏州捷芯威半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
衬底；
位于所述衬底一侧的多层半导体层，所述多层半导体层中形成有二维电子气；
位于所述多层半导体层远离所述衬底一侧的帽层结构，所述帽层结构消耗位于其下方的所述二维电子气；
位于所述帽层结构远离所述多层半导体层一侧的栅极，位于所述多层半导体层远离所述衬底一侧的源极和漏极，所述栅极位于所述源极和所述漏极之间；所述栅极包括第一栅极分部和第二栅极分部，所述第一栅极分部与所述帽层结构形成欧姆接触，所述第二栅极分部与所述帽层结构形成肖特基接触，且至少部分所述第二栅极分部位于所述第一栅极分部靠近所述漏极的一侧。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二栅极分部包围所述第一栅极分部。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一栅极分部包括多个第一栅极甲分部，多个所述第一栅极甲分部沿第一方向排列；所述第一方向与所述栅极的延伸方向平行。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一栅极分部包括多个第一栅极乙分部，多个所述第一栅极乙分部沿第二方向排列；所述第二方向与所述源极指向所述漏极的平行。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一栅极分部包括沿第一方向上排列，同时沿第二方向排列的多个第一栅极丙分部；所述第一方向与所述栅极的延伸方向平行，所述第二方向与所述源极指向所述漏极的平行。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一栅极分部的覆盖面积小于所述第二栅极分部的覆盖面积。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述第一栅极分部的覆盖面积为S1，所述栅极的覆盖面积为S，其中1/15≤S1/S1/2。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一栅极分部部分嵌入所述帽层结构中。
9.一种半导体器件的制备方法，用于制备权利要求1-8任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述制备方法包括：
提供衬底；
在所述衬底的一侧制备多层半导体层，所述多层半导体层中形成有二维电子气；
在所述多层半导体层远离所述衬底的一侧制备帽层结构，所述帽层结构消耗位于其下方的所述二维电子气；
在所述帽层结构远离所述多层半导体层的一侧制备栅极，在所述多层半导体层远离所述衬底的一侧制备源极和漏极，所述栅极位于所述源极和所述漏极之间；所述栅极包括第一栅极分部和第二栅极分部，所述第一栅极分部与所述帽层结构形成欧姆接触，所述第二栅极分部与所述帽层结构形成肖特基接触，且至少部分所述第二栅极分部位于所述第一栅极分部靠近所述漏极的一侧。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，在所述帽层结构远离所述多层半导体层的一侧制备栅极，包括：
采用第一工艺在所述帽层结构远离所述多层半导体层的一侧制备第一栅极分部，所述第一栅极分部与所述帽层结构形成欧姆接触；
采用第二制备工艺在所述帽层结构远离所述多层半导体层的一侧制备第二栅极分部，所述第二栅极分部与所述帽层结构形成肖特基接触，且至少部分所述第二栅极分部位于所述第一栅极分部靠近所述漏极的一侧。
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