[发明专利]一种周期极化薄膜基板及其制备方法有效
| 申请号： | 202010258281.6 | 申请日： | 2020-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN111430533B | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 王金翠;张秀全;朱厚彬;李真宇;张涛 | 申请（专利权）人： | 济南晶正电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L41/083 | 分类号： | H01L41/083;H01L41/27;H01L41/312 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区港*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种周期极化薄膜基板及其制备方法，所述周期极化薄膜基板包括依次层压的衬底(1)、缓冲层(2)和压电单晶层(3)，其中，压电单晶层(3)包括至少两层压电单晶子层(31)，相邻压电单晶子层(31)的极化方向相反，通过键合而得，本申请提供的制备方法通过在缓冲层上直接键合多层压电单晶子层从而形成周期极化薄膜基板，该方法在常温下即可进行，工艺难度低，所制得的周期极化薄膜基板的极化周期及周期数量可灵活控制；有效避免由高压造成的击穿风险以及由表面镀电极而造成的表面质量的变差问题，通过设置缓冲层防止光泄露至衬底中，从而降低信号损耗，基于该基板制得的PPLN具有完全贯穿的垂直电畴壁。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 周期 极化 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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