[发明专利]一种周期极化薄膜基板及其制备方法

权利要求书

1.一种周期极化薄膜基板，其特征在于，所述周期极化薄膜基板包括依次层压的衬底(1)、缓冲层(2)和压电单晶层(3)，其中，压电单晶层(3)包括至少两层切向相同的压电单晶子层(31)，相邻压电单晶子层(31)的极化方向相反，相邻两层压电单晶子层(31)通过键合而得；

其中，所述缓冲层(2)包括至少一个缓冲子层(21)，每层缓冲子层(21)的折射率均小于压电单晶层(3)的折射率，多个缓冲子层(21)相互层叠，相邻两层缓冲子层(21)的折射率不同，

所述周期极化薄膜基板由包括以下步骤的方法制备：

步骤1，在衬底上制备缓冲层；

步骤2，在所述缓冲层上交替键合压电单晶子层，其中，相邻两层压电单晶子层的极化方向相反，其中，步骤2具体包括：

步骤2-1，在缓冲层上键合第一压电单晶晶圆，修整第一压电单晶晶圆的厚度为目标厚度，形成第一压电单晶子层；

步骤2-2，在步骤2-1所得第一压电单晶子层的上表面继续键合第二压电单晶晶圆，修整第二压电单晶晶圆的厚度为目标厚度，形成第二压电单晶子层；

步骤2-3，按照步骤2-2的方法，在所述第二压电单晶子层的上表面继续键合压电单晶子层，至第i压电单晶子层，其中，i＝1，2，3，……，n，n表示所述周期极化薄膜基板中压电单晶子层的数量，第一压电单晶子层至第i压电单晶子层的总厚度为目标总厚度；

每层所述压电单晶子层(31)的厚度为10-2000nm。

2.根据权利要求1所述的周期极化薄膜基板，其特征在于，制备所述压电单晶层(3)的材料包括单晶铌酸锂、掺镁单晶铌酸锂和单晶钽酸锂。

3.一种制备如权利要求1或2所述周期极化薄膜基板的方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤1’，在衬底上制备缓冲层；

步骤2’，在所述缓冲层上键合多层压电单晶子层，其中，相邻两层压电单晶子层的极化方向相反。