[发明专利]提高溅射离化率的溅射阴极、真空镀膜系统及镀膜方法在审
| 申请号： | 202010244039.3 | 申请日： | 2020-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN111378946A | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 吴忠振;李体军;崔岁寒 | 申请（专利权）人： | 北京大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/56 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 宗继颖 |
| 地址： | 518055 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本公开提供了提高溅射离化率的溅射阴极、真空镀膜系统及镀膜方法，其中溅射阴极包括：中空圆柱筒型靶套，所述靶套内设有靶材；冷却系统，置于所述靶套外壁；环形磁铁，均匀安装在靶材后侧并靠近靶材端口处，且与冷却系统相邻；所述环形磁铁及冷却系统外侧设有磁钢；磁钢外侧设置罩有屏蔽罩。所述环形磁铁在靶面形成闭合环形电子跑道，将电子有效地约束在等离子体内部，降低了起辉电压，提高了放电稳定性及溅射材料的离化率。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 溅射 离化率 阴极 真空镀膜 系统 镀膜 方法 | ||
【主权项】：
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