[发明专利]一种单晶面积占比大、位错密度低的铸造单晶硅制备方法

摘要

本发明公开了一种单晶面积占比大、位错密度低的铸造单晶硅制备方法，籽晶拼接缝理想状态下，位错源产生的概率较小；实际操作中存在一定的误差，籽晶的拼接缝放大后观察无法形成绝对的“十字型”，相同籽晶连接在一起无法形成晶界，从而产生位错源；方法包括以下步骤：S1，直拉单晶棒截掉头尾后得到直拉单晶圆棒，沿不同旋转角度去除边皮得到无圆角的单晶方棒，加工得到0°籽晶、11.5°籽晶、23°籽晶、34.5°籽晶；S2，将四种籽晶依次铺设在坩埚底部，形成完整的籽晶层，每块籽晶的八个方向不与同种籽晶相连；S3，在所述籽晶层上放置原生多晶硅料和头尾边等循环料；S4，将所述装满多晶硅料的坩埚放入铸锭炉中，采用半融工艺得到铸造单晶硅锭。