[发明专利]一种单晶面积占比大、位错密度低的铸造单晶硅制备方法

权利要求书

1.一种单晶面积占比大、位错密度低的铸造单晶硅制备方法，其特征在于包括以下步骤：

S1：直拉单晶棒截掉头尾后得到直拉单晶圆棒，四条棱线连接成正方形，沿着此正方形去除边皮得到无圆角的单晶方棒，将单晶方棒沿垂直于晶体生长的方向截断成块状0°籽晶；

S2：直拉单晶棒截掉头尾后得到直拉单晶圆棒，将四条棱线连接成的正方形顺时针方向旋转11.5°，沿着旋转11.5°后的正方形去除边皮得到无圆角的单晶方棒，将单晶方棒沿垂直于晶体生长的方向截断成块状11.5°籽晶；

S3：直拉单晶棒截掉头尾后得到直拉单晶圆棒，将四条棱线连接成的正方形顺时针方向旋转23°，沿着旋转23°后的正方形去除边皮得到无圆角的单晶方棒，将单晶方棒沿垂直于晶体生长的方向截断成块状23°籽晶；

S4：直拉单晶棒截掉头尾后得到直拉单晶圆棒，将四条棱线连接成的正方形顺时针方向旋转34.5°，沿着旋转34.5°后的正方形去除边皮得到无圆角的单晶方棒，将单晶方棒沿垂直于晶体生长的方向截断成块状34.5°籽晶；

S5：将0°籽晶、11.5°籽晶、23°籽晶、34.5°籽晶依次铺设在坩埚底部，每块籽晶的上、下、左、右、左上、左下、右上、右下八个方向不与同种籽晶相连，直到把坩埚底部铺满，形成完整的籽晶铺设层；

S6：在所述籽晶铺设层上放置原生硅料和回收硅料；

S7：将所述装满多晶硅料的坩埚放入铸锭炉中，采用半融工艺得到铸造单晶硅锭。

2.根据权利要求1所述的一种单晶面积占比大、位错密度低的铸造单晶硅制备方法，其特征在于，S5中所述坩埚的选用可以是G5、G6、G7或G8坩埚中任一种。

3.根据权利要求1所述的一种单晶面积占比大、位错密度低的铸造单晶硅制备方法，其特征在于，所述0°籽晶、11.5°籽晶、23°籽晶、34.5°籽晶厚度范围是10mm-30mm。

4.根据权利要求1所述的一种单晶面积占比大、位错密度低的铸造单晶硅制备方法，其特征在于，S5所述0°籽晶、11.5°籽晶、23°籽晶、34.5°籽晶铺设在坩埚底部之后，四块籽晶之间形成“十字型”拼接缝。