[发明专利]一种嵌入式SiGe结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202010212644.2 | 申请日： | 2020-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN111403483A | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 张鹏 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种嵌入式SiGe结构及其制备方法，提供基底，在基底上形成阱；在阱上制作栅极绝缘层并在栅极绝缘层上淀积多晶硅；刻蚀多晶硅形成栅极；在栅极侧壁形成第一侧墙；在阱的所述栅极两侧形成SiGe结构的沟槽；在沟槽中淀积构成SiGe结构的种子层；接着在种子层上生长构成SiGe结构的体层，在体层上形成盖帽层；在体层和盖帽层之间掺入碳原子，形成位于体层和盖帽层之间的含碳阻挡层。本发明通过优化SiGe结构的生长工艺，在体层和盖帽层生长层之间掺入碳原子，形成生成SiGeC层，可以有效抑制硼原子向体层、以及沟道中扩散，减小器件的漏电流并抑制器件的短沟道效应。本发明可以很好兼容现有的器件的制作工艺，为解决PMOS漏电及短沟道效应提供了可行性方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 嵌入式 sige 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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