[发明专利]一种嵌入式SiGe结构及其制备方法

权利要求书

1.一种嵌入式SiGe结构，其特征在于，至少包括：

基底；位于所述基底上的阱，嵌入所述阱内的两个相互间隔的SiGe结构；所述SiGe结构由位于底部的种子层和位于所述种子层上的体层构成；所述体层上设有盖帽层，所述体层与所述盖帽层之间设有含碳阻挡层。

2.根据权利要求1所述的嵌入式SiGe结构，其特征在于：所述SiGe结构的纵截面形状为六边形。

3.根据权利要求1所述的嵌入式SiGe结构，其特征在于：所述含碳阻挡层为SiGeC层。

4.根据权利要求1所述的嵌入式SiGe结构，其特征在于：还包括位于所述半导体基底上、所述两个SiGe结构之间的栅极。

5.根据权利要求4所述的嵌入式SiGe结构，其特征在于：所述栅极与所述阱之间还设有栅极绝缘层。

6.根据权利要求4所述的嵌入式SiGe结构，其特征在于：所述栅极为多晶硅，所述栅极侧壁设有第一侧墙，所述第一侧墙上设有第二侧墙。

7.根据权利要求6所述的嵌入式SiGe结构，其特征在于：所述第一侧墙包含有第一氧化层和第一氮化层，其中所述第一氧化层依附于所述栅极侧壁，所述第一氮化层依附于所述第一氧化层。

8.根据权利要求7所述的嵌入式SiGe结构，其特征在于：所述第二侧墙包含第二氧化层和第二氮化层，其中所述第二氧化层依附于所述第一氮化层，所述第二氮化层依附于所述第二氧化层。

9.根据权利要求8所述的嵌入式SiGe结构，其特征在于：所述第一氧化层的厚度为70埃。

10.根据权利要求9所述的嵌入式SiGe结构，其特征在于：所述第一氮化层的厚度为80埃。

11.根据权利要求1至10任意一项所述的嵌入式SiGe结构的制备方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：

步骤一、提供基底，在所述基底上形成阱；

步骤二、在所述阱上制作栅极绝缘层并在所述栅极绝缘层上淀积一层多晶硅；

步骤三、刻蚀所述多晶硅形成栅极；

步骤四、在所述栅极侧壁形成第一侧墙；

步骤五、在所述阱的所述栅极两侧形成SiGe结构的沟槽；

步骤六、在所述沟槽中淀积构成所述SiGe结构的种子层；接着在所述种子层上生长构成所述SiGe结构的体层，在所述体层上形成盖帽层；

步骤七、在所述体层和所述盖帽层之间掺入碳原子，形成位于所述体层和所述盖帽层之间的含碳阻挡层。

12.根据权利要求11所述的嵌入式SiGe结构的制备方法，其特征在于：步骤四中在所述栅极侧壁形成所述第一侧墙的步骤包括，现在所述栅极侧壁形成第一氧化层；之后在所述第一氧化层上形成第一氮化层。

13.根据权利要求12所述的嵌入式SiGe结构的制备方法，其特征在于：步骤四形成所述第一侧墙后，在所述第一侧墙下方的所述阱中进行轻掺杂离子注入，形成PLDD区，之后再对所述PLDD区进行退火。

14.根据权利要求13所述的嵌入式SiGe结构的制备方法，其特征在于：步骤五中在所述阱上的所述栅极两侧形成所述SiGe结构的沟槽的步骤包括：1、在所述阱上形成硬掩模层，并将其图形化；2、按照图形化的所述硬掩模层刻蚀所述阱，形成所述沟槽。

15.根据权利要求14所述的嵌入式SiGe结构的制备方法，其特征在于，该方法还包括步骤八、在所述第一侧墙上形成第二侧墙。