[发明专利]一种RC-IGBT器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202010212618.X | 申请日： | 2020-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN113451397A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 赵浩宇;曾丹;敖利波;史波 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;张晓梅 |
| 地址： | 519000*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种RC‑IGBT器件制备方法，包括以下步骤：提供具备正面元胞结构的RC‑IGBT硅基，并将RC‑IGBT硅基的背面减薄至所需厚度；对上述减薄后的RC‑IGBT硅基背面生长SiC层，并注入P型杂质离子形成P型掺杂区域；向上述RC‑IGBT硅基背面注入N型杂质离子形成N型掺杂区域；将上述RC‑IGBT硅基背面金属化，以得到与P型掺杂区域、N型掺杂区域欧姆接触的集电极金属。本发明还提供了该方法制备的RC‑IGBT器件，本发明中将器件背面替换成碳化硅并掺杂P型杂质离子形成P型掺杂区域，首先N型掺杂区域扩散程度比较好，其次抑制了载流子在N型掺杂区域中的流动从而控制其寿命，达到消除电压回折的现象，优化了其反向回复特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 rc igbt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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