[发明专利]一种RC-IGBT器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202010212618.X | 申请日： | 2020-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN113451397A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 赵浩宇;曾丹;敖利波;史波 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;张晓梅 |
| 地址： | 519000*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 rc igbt 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种RC-IGBT器件制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供具备正面元胞结构的RC-IGBT硅基，并将所述RC-IGBT硅基的背面减薄至所需厚度；
对上述减薄后的RC-IGBT硅基背面生长SiC层，并注入P型杂质离子形成P型掺杂区域；
向上述RC-IGBT硅基背面注入N型杂质离子形成N型掺杂区域；
将上述RC-IGBT硅基背面金属化，以得到与P型掺杂区域、N型掺杂区域欧姆接触的集电极金属。
2.根据权利要求1所述的RC-IGBT器件制备方法，其特征在于，所述正面元胞结构包括第一导电类型的漂移区，在所述第一导电类型的漂移区内上方设置沟槽栅极，在相邻沟槽栅极之间设置第二导电类型源区，所述第二导电类型源区内的正面设置第一导电类型源区，所述第一导电类型源区与第二导电类型源区分别与相应的沟槽栅极的栅极氧化层相接触，所述第一导电类型源区与上方的发射极金属相接触。
3.根据权利要求2所述的RC-IGBT器件制备方法，其特征在于，所述第一导电类型为N型，第二导电类型为P型。
4.根据权利要求2或3所述的RC-IGBT器件制备方法，其特征在于，所述漂移区包括N-漂移层和位于N-漂移层背面的N+截止层，所述沟槽栅极的沟槽的底部位于所述N-漂移层内。
5.根据权利要求1所述的RC-IGBT器件制备方法，其特征在于，对所述RC-IGBT硅基的背面减薄的过程包括机械研磨减薄及化学腐蚀减薄。
6.一种RC-IGBT器件，其元胞结构包括正面元胞结构及背面集电极结构，其特征在于，所述背面集电极结构包括碳化硅P+集电区及碳化硅N+集电区，所述碳化硅P+集电区与正面元胞结构的漂移区结构背面相接触，所述碳化硅N+集电区位于所述碳化硅P+集电区内的一侧，并与所述漂移区结构背面相接触，所述碳化硅P+集电区及碳化硅N+集电区背面设置有集电极金属层。
7.根据权利要求6所述的RC-IGBT器件，其特征在于，所述正面元胞结构包括硅基，所述硅基包括漂移区，所述漂移区内设置沟槽栅极，在相邻沟槽栅极之间设置有第二导电类型源区，所述第二导电类型源区内的上方设有第一导电类型源区，所述第一导电类型源区与第二导电类型源区分别与相应的沟槽栅极的栅极氧化层相接触，所述第一导电类型源区与上方的发射极金属相接触。
8.根据权利要求7所述的RC-IGBT器件，其特征在于，所述第一导电类型为N型，第二导电类型为P型。
9.根据权利要求7所述的RC-IGBT器件，其特征在于，所述漂移区包括N-漂移层和位于N-漂移层背面的N+截止层，所述沟槽栅极的沟槽的底部位于N-漂移层内。
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