[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：在所述第一区上形成横跨所述第一初始鳍部结构的第一伪栅极结构；刻蚀一个或若干所述第一初始纳米线，在所述第一初始纳米线的一侧或两侧侧壁形成凹槽；形成所述凹槽之后，去除所述第一伪栅极结构两侧的第一初始鳍部结构，在第一区上形成第一鳍部结构，使所述第一初始纳米线形成第一纳米线，所述第一鳍部结构延伸方向两侧具有第一源漏开口，所述第一源漏开口侧壁暴露出所述凹槽，且所述凹槽所在的第一纳米线的侧壁相对凹槽底部的第一纳米线侧壁凹陷；在所述凹槽内形成隔离结构，所述隔离结构位于一个或若干第一纳米线和第一源漏开口之间。所述方法能够改变半导体结构中的沟道数量，从而满足性能需求。