[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括第一区和第二区；

位于第一区上的第一鳍部结构，所述第一鳍部结构包括若干沿基底表面法线方向排列且相互分立的第一纳米线；

位于第一区上横跨所述第一鳍部结构的第一栅极结构，所述第一栅极结构两侧的第一鳍部结构内具有第一源漏开口，一侧或两侧所述第一源漏开口侧壁具有凹槽，所述凹槽暴露出一个或者若干第一纳米线侧壁表面，且所述凹槽所在的第一纳米线的侧壁相对凹槽底部的第一纳米线侧壁凹陷；

位于所述凹槽内的隔离结构。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一栅极结构包括：横跨所述第一鳍部结构的第一栅介质层、位于第一栅极介质层表面的第一栅电极层、以及位于所述第一栅介质层和第一栅电极层侧壁表面的第一侧墙。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离结构侧壁齐平于所述第一侧墙侧壁表面。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于第二区上的第二鳍部结构，所述第二鳍部结构包括若干沿基底表面法线方向排列且相互分立的第二纳米线；位于第二区上横跨所述第二鳍部结构的第二栅极结构。

5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第二栅极结构两侧的第二鳍部结构内具有第二源漏开口。

6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于第一源漏开口内的第一源漏掺杂层，所述第一源漏掺杂层覆盖所述隔离结构侧壁表面；位于第二源漏开口内的第二源漏掺杂层。

7.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第二栅极结构包括：横跨所述第二鳍部结构的第二栅介质层、位于第二栅极介质层表面的第二栅电极层、以及位于所述第二栅介质层和第二栅电极层侧壁表面的第二侧墙。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，相邻所述第一纳米线之间具有第一鳍部凹槽、以及位于第一鳍部凹槽内的第一隔离层。

9.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，相邻所述第二纳米线之间具有第二鳍部凹槽、以及位于第二鳍部凹槽内的第二隔离层。

10.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于基底上的介质层，所述介质层内具有第一栅开口，所述第一栅开口暴露出部分所述第一鳍部结构的部分顶部表面和侧壁表面；所述第一栅极结构位于所述第一栅开口内。

11.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述介质层内还具有第二栅开口，所述第二栅开口暴露出部分所述第二鳍部结构的部分顶部表面和侧壁表面；所述第二栅极结构位于所述第二栅开口内。

12.如权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于相邻第一纳米线之间的第一附加开口，所述第一栅开口暴露出所述第一附加开口；所述第一栅极结构还位于第一附加开口内，且所述第一栅极结构环绕各所述第一纳米线。

13.如权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于相邻第二纳米线之间的第二附加开口，所述第二栅开口暴露出所述第二附加开口；所述第二栅极结构还位于所述第二附加开口内，且所述第二栅极结构环绕各所述第二纳米线。