[发明专利]超大功率光阻玻璃芯片生产工艺在审
| 申请号： | 202010196198.0 | 申请日： | 2020-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN111370301A | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 黄小锋;屠星宇 | 申请（专利权）人： | 常州星海电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/48;H01L21/56;H01L21/02;B08B5/00;B08B7/00;G03F7/30 |
| 代理公司： | 常州市华信天成专利代理事务所(普通合伙) 32294 | 代理人： | 何学成 |
| 地址： | 213022 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种超大功率光阻玻璃芯片生产工艺，包括匀胶、一次光刻、沟槽腐蚀、HCl清洁、SIPOS、二次匀胶、二次光刻、玻璃钝化、LTO、三次匀胶、三次光刻、去氧化层和金属化、锯片裂片制得。采用该方法生产的尺寸为100—135mil的玻璃芯片工作功率大，工作稳定性好，反向漏电小，使用寿命长；采用HCl清洁，酸性气体可以有效去除沟槽腐蚀残留的金属离子，且避免后续SIPOS操作时需要升温，节能降耗，有利于环保。 | ||
| 搜索关键词： | 超大 功率 玻璃 芯片 生产工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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