[发明专利]基于石墨烯/氮化硼异质结构的太赫兹调制器及制备方法在审
| 申请号： | 202010188561.4 | 申请日： | 2020-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN113495372A | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 文天龙;王卓然 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;王卓然 |
| 主分类号： | G02F1/015 | 分类号： | G02F1/015;C01B21/064;C01B32/194 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于石墨烯/氮化硼异质结构的太赫兹调制器及制备方法，太赫兹波调制器包括从下往上依次设置的p型硅衬底、氮化硼薄膜、石墨烯薄膜以及红外激光束，与常规石墨烯薄膜修饰的太赫兹调制器相比，氮化硼薄膜可以极大增加石墨烯薄膜的载流子迁移率，石墨烯/氮化硼异质结构与单层石墨烯修饰硅结构相比，具有远高于石墨烯修饰硅的载流子迁移率，在相同功率激光的照射下，以氮化硼作为绝缘层的太赫兹调制器内部载流子迁移率更高，通过氮化硼与石墨烯两者的共同作用，在红外光激光激励下提高太赫兹波的光调制深度和速度，对于太赫兹波的调制能力更强。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 石墨 氮化 硼异质 结构 赫兹 调制器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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