[发明专利]基于石墨烯/氮化硼异质结构的太赫兹调制器及制备方法

权利要求书

1.一种基于石墨烯/氮化硼异质结构的太赫兹调制器，其特征在于，所述太赫兹波调制器包括从下往上依次设置的p型硅衬底、氮化硼薄膜、石墨烯薄膜以及红外激光束。

2.根据权利要求1所述的基于石墨烯/氮化硼异质结构的太赫兹调制器，其特征在于，所述氮化硼薄膜由六方氮化硼组成。

3.根据权利要求1所述的基于石墨烯/氮化硼异质结构的太赫兹调制器，其特征在于，所述红外激光束输出的激光波长为700-1000nm。

4.根据权利要求1所述的基于石墨烯/氮化硼异质结构的太赫兹调制器，其特征在于，所述P型硅衬底电阻率为10-30 Ω•cm，所述P型硅衬底厚度为400-600μm。

5.根据权利要求1所述的基于石墨烯/氮化硼异质结构的太赫兹调制器，其特征在于，所述石墨烯薄膜电阻率为100-3000Ω•cm。

6.一种基于石墨烯/氮化硼异质结构的太赫兹调制器制备方法，其特征在于，包括：

步骤1：将电阻率介于10-30 Ω•cm的单氧化层p型硅片（100）切割为10mm×10mm的方片，并依次用丙酮、酒精、去离子水在超声中清洗干净，使用氮气吹干,得到洁净硅片；

步骤2：转移氮化硼薄膜：将由CVD法得到的带有氮化硼薄膜的铜基底剪裁为9mm×9mm大小，在生长有氮化硼薄膜的一面旋涂一层PMMA，然后放入1mol/L的FeCl₃溶液中腐蚀铜基底，静置3小时后，观察到溶液表面漂浮一层透明状薄膜即（PMMA），即证明腐蚀完成，将带氮化硼薄膜的PMMA采用去离子水冲洗数次，并转移至步骤1得到的洁净P型硅基片上，最后使用丙酮去除氮化硼薄膜表面的PMMA，完成氮化硼薄膜的转移；

步骤3：转移石墨烯薄膜：将CVD法得到的带石墨烯薄膜的铜基底剪裁为8mm×8mm 大小，在生长有石墨烯薄膜的一面旋涂一层PMMA，然后放入1mol/L的FeCl₃溶液中腐蚀铜基底，静置5小时后，观察到溶液表面漂浮一层透明状薄膜即（PMMA），即证明腐蚀完成，将带石墨烯薄膜的PMMA采用去离子水冲洗数次，并转移至步骤2得到的氮化硼薄膜上，最后使用丙酮去除石墨烯薄膜表面的PMMA，完成石墨烯薄膜的转移，即制备得基于石墨烯/氮化硼异质结构的太赫兹调制器。