[发明专利]二维SnSe-SnSe2有效

专利信息
申请号: 202010187667.2 申请日: 2020-03-17
公开(公告)号: CN113410287B 公开(公告)日: 2023-04-11
发明(设计)人: 周兴;翟天佑 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: H01L29/267 分类号: H01L29/267;H01L21/02
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 李智;孔娜
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明属于纳米半导体材料领域,并具体公开了一种二维SnSe‑SnSe2 p‑n异质结及其制备方法,包括如下步骤:S1将碘化亚锡和硒粉混合获得前驱体,将该前驱体加热生成SnSe2晶体材料,通入载气将所述SnSe2晶体材料带至衬底处,使其在衬底上进行沉积,以此形成二维SnSe2晶体材料;S2将所述二维SnSe2晶体材料进行加热,使其在高温下部分分解原位得到SnSe‑SnSe2 p‑n异质结。本发明能够降低反应温度,减小制备过程中的能耗,同时克服了湿化学和机械合成的难题,实现二维层状材料的可控制备。
搜索关键词: 二维 snse base sub
【主权项】:
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