[发明专利]二维SnSe-SnSe2 有效
| 申请号： | 202010187667.2 | 申请日： | 2020-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN113410287B | 公开（公告）日： | 2023-04-11 |
| 发明（设计）人： | 周兴;翟天佑 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/267 | 分类号： | H01L29/267;H01L21/02 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智;孔娜 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二维 snse base sub | ||
1.一种二维SnSe-SnSe2 p-n异质结的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1将碘化亚锡和硒粉混合获得前驱体，将该前驱体加热生成SnSe2晶体材料，通入载气将所述SnSe2晶体材料带至衬底处，使其在衬底上进行沉积，以此形成二维SnSe2晶体材料；
S2将所述二维SnSe2晶体材料进行加热，使其在高温下部分分解原位得到SnSe-SnSe2p-n异质结，完成SnSe-SnSe2 p-n异质结制备；
所述S1和S2均在管式炉中进行，该管式炉依次分为上游低温区、中心温区、下游沉积区；所述S1中，所述前驱体置于上游低温区，所述衬底置于下游沉积区，对中心温区以每分钟30℃的速度进行加热，并控制中心温区温度为550℃～650℃；所述S2中，所述二维SnSe2晶体材料置于中心温区，对中心温区以每分钟30℃的速度进行加热，并控制中心温区温度为300℃～400℃；制备得到的SnSe-SnSe2 p-n异质结厚度小于5nm。
2.如权利要求1所述的二维SnSe-SnSe2 p-n异质结的制备方法，其特征在于，所述SnSe2晶体材料在衬底上进行沉积时，其所处的下游沉积区的温度为200℃～300℃。
3.如权利要求1所述的二维SnSe-SnSe2 p-n异质结的制备方法，其特征在于，所述S1和S2中，中心温区和下游沉积区的压强不大于一个大气压。
4.如权利要求1所述的二维SnSe-SnSe2 p-n异质结的制备方法，其特征在于，所述载气为氩气和氢气，且氩气的流量为20sccm，氢气的流量为5sccm。
5.如权利要求1所述的二维SnSe-SnSe2 p-n异质结的制备方法，其特征在于，所述S2中，反应时间为5min～30min。
6.如权利要求1-5任一项所述的二维SnSe-SnSe2 p-n异质结的制备方法，其特征在于，所述衬底为云母。
7.一种二维SnSe-SnSe2 p-n异质结，其特征在于，采用如权利要求1-6任一项所述的方法制备得到。
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