[发明专利]一种半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202010187392.2 | 申请日： | 2020-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN111276532A | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 张傲峰;李建财 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 王华英 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体器件及其制备方法，属于集成电路技术领域。本发明的半导体器件包括：衬底；源极，形成于所述衬底中的一侧；漏极，形成于所述衬底中相对于所述源极的另一侧；栅极，其形成于所述衬底表面；第一隔离结构，其位于所述栅极邻近所述漏极的一侧，且由所述栅极中向下延伸至所述衬底中；第二隔离结构，其位于所述第一隔离结构邻近所述漏极的一侧，且由所述栅极中向下延伸至所述衬底中；所述第一隔离结构的深度与所述第一隔离结构的深度不相同。本发明在保证半导体器件的耐压性的同时，降低该区域的阻值，从而提高其饱和电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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