[发明专利]一种半导体器件及其制作方法

摘要

本申请公开了一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件的制作方法包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底具有顶表面、底表面、及连接所述顶表面与所述底表面的侧表面；在所述衬底的顶表面上形成半导体功能结构；所述衬底的顶表面的外围留有未被所述半导体功能结构覆盖的边缘区；形成保护层，所述保护层至少覆盖在所述衬底的顶表面的所述边缘区上，以及所述半导体功能结构的侧表面上；以及，对所述半导体功能结构进行处理。本申请可以有效的避免衬底的边缘在制作工艺中被TMAH刻蚀液损坏，有利于提高产品良率，并且形成上述保护层的工具不需要重新开发，节省了成本。