[发明专利]一种半导体器件及其制作方法

说明书

本申请公开了一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件的制作方法包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底具有顶表面、底表面、及连接所述顶表面与所述底表面的侧表面；在所述衬底的顶表面上形成半导体功能结构；所述衬底的顶表面的外围留有未被所述半导体功能结构覆盖的边缘区；形成保护层，所述保护层至少覆盖在所述衬底的顶表面的所述边缘区上，以及所述半导体功能结构的侧表面上；以及，对所述半导体功能结构进行处理。本申请可以有效的避免衬底的边缘在制作工艺中被TMAH刻蚀液损坏，有利于提高产品良率，并且形成上述保护层的工具不需要重新开发，节省了成本。

技术领域

本申请涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种半导体器件及其制作方法。

背景技术

现有的双层三维存储器件，例如双层三维计算机闪存设备(3D NAND)存储器件，其上叠层和下叠层均采用垂直堆叠多层存储单元的方式，实现堆叠式的3D NAND存储器件。其中，堆叠式的存储器件的下叠层和上叠层均由栅极层和绝缘层交替堆叠形成，且下堆叠层和上堆叠层依次堆叠设置在晶圆衬底上。

在生产和使用过程中发现，存储器件中的晶圆边缘容易被损伤，如果晶圆边缘损伤严重，将导致晶圆破裂或诱导工具警报，严重影响产品良率。

发明内容

本申请提供一种半导体器件及其制作方法，可以有效的保护衬底，避免衬底的边缘被损坏，有利于提高产品良率。

一方面，本申请提供一种半导体器件的制作方法，包括以下步骤：

提供一衬底，所述衬底具有顶表面、底表面、及连接所述顶表面与所述底表面的侧表面；

在所述衬底的顶表面上形成半导体功能结构；所述衬底的顶表面的外围留有未被所述半导体功能结构覆盖的边缘区；

形成保护层，所述保护层至少覆盖在所述衬底的顶表面的所述边缘区上，以及所述半导体功能结构的侧表面上；以及

对所述半导体功能结构进行处理。

进一步优选的，所述保护层的材料包括二氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的其中一种。

进一步优选的，所述保护层的厚度大于或等于100纳米。

进一步优选的，所述保护层还形成在所述衬底的底表面与所述衬底的侧表面上。

进一步优选的，所述形成保护层的步骤，包括以下步骤：

在所述半导体功能结构远离所述衬底的一侧覆盖掩膜层；

在所述衬底的顶表面的所述边缘区、所述衬底的底表面、所述衬底的侧表面以及所述半导体功能结构的侧表面沉积保护层；

去除所述掩膜层。

进一步优选的，所述在所述衬底的顶表面的所述边缘区、所述衬底的底表面、所述衬底的侧表面以及所述半导体功能结构的侧表面沉积保护层，包括以下步骤：

将形成有所述半导体功能结构和所述掩膜层的所述衬底翻转，以使所述衬底的底表面朝上；

在所述衬底的底表面上沉积保护层，同时，所述保护层还被沉积在所述衬底的侧表面、所述衬底的顶表面的所述边缘区、以及所述半导体功能结构的侧表面上。

进一步优选的，所述在所述衬底的底表面上沉积保护层，包括以下步骤：

采用化学气相沉积法在所述衬底的底表面上沉积保护层。

进一步优选的，所述半导体器件为三维存储器；

所述在所述衬底的顶表面上形成半导体功能结构，包括以下步骤：

在所述衬底的顶表面上形成所述第一堆栈层，并在垂直于所述衬底方向上形成贯穿所述第一堆栈层的第一沟道孔；