[发明专利]逆导型IGBT及其制备方法在审
| 申请号： | 202010167943.9 | 申请日： | 2020-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN113394278A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 刘勇强;史波;曾丹;赵浩宇;温珂;葛孝昊;赵家宽 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;张杰 |
| 地址： | 519000*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本公开提供一种逆导型IGBT及其制备方法。该逆导型IGBT包括第一导电类型衬底；位于所述衬底上方的第一导电类型漂移层；其中,所述漂移层包括元胞区和位于所述元胞区周围的终端区，所述终端区包括设置于所述漂移层表面内的第一导电类型截止环区和位于所述元胞区与所述截止环区之间的第二导电类型JTE区；位于所述衬底下方的第二导电类型集电区和与所述集电区相邻接的第一导电类型短路区；其中，所述短路区与所述JTE区对齐，以使所述JTE区、所述漂移层、所述衬底和所述短路区构成快速恢复二极管。该结构使得元胞区的背面即元胞区对应的衬底下方全是集电极区，有效的抑制了逆导型IGBT的回跳现象，而且可另外采用局域寿命控制的方法进行二极管参数的优化。 | ||
| 搜索关键词： | 逆导型 igbt 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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