[发明专利]逆导型IGBT及其制备方法

权利要求书

1.一种逆导型IGBT，其特征在于，包括：

第一导电类型衬底；

位于所述衬底上方的第一导电类型漂移层；其中,所述漂移层包括元胞区和位于所述元胞区周围的终端区，所述终端区包括设置于所述漂移层表面内的第一导电类型截止环区和位于所述元胞区与所述截止环区之间的第二导电类型JTE区；

位于所述衬底下方的第二导电类型集电区和与所述集电区相邻接的第一导电类型短路区；其中，所述短路区与所述JTE区对齐，以使所述JTE区、所述漂移层、所述衬底和所述短路区构成快速恢复二极管。

2.根据权利要求1所述的逆导型IGBT，其特征在于，所述JTE区的离子掺杂浓度为7E12cm^-3至9E12 cm^-3。

3.根据权利要求1所述的逆导型IGBT，其特征在于，所述JTE区的深度为7um至8um。

4.根据权利要求1所述的逆导型IGBT，其特征在于，所述JTE区的宽度为100um至200um。

5.根据权利要求1所述的逆导型IGBT，其特征在于，所述短路区的离子掺杂浓度为4E15cm^-3至6E15 cm^-3。

6.根据权利要求1所述的逆导型IGBT，其特征在于，所述截止环区的宽度为6um至11um。

7.根据权利要求1所述的逆导型IGBT，其特征在于，所述元胞区包括多个间隔设置于所述漂移层表面内的沟槽栅、位于相邻两个所述沟槽栅之间且设置于所述漂移层表面内的第二导电类型阱区和位于所述阱区表面内并配置在所述沟槽栅两侧的第一导电类型源区；

其中，所述沟槽栅的深度大于所述阱区的深度，所述沟槽栅包括栅极沟槽、设置于所述栅极沟槽内的栅极和设置于所述栅极沟槽和所述栅极之间的栅极绝缘层。

8.根据权利要求1所述的逆导型IGBT，其特征在于，所述元胞区包括多个间隔设置于所述漂移层表面内的第二导电类型阱区、间隔设置于所述阱区表面内的第一导电类型源区、在所述漂移层上覆盖相邻两个所述阱区之间的区域以及与靠近该区域的部分所述阱区和部分所述源区的栅极绝缘层，以及位于所述栅极绝缘层上方的栅极。

9.根据权利要求1所述的逆导型IGBT，其特征在于，还包括：

位于所述集电区和所述短路区下方并与所述集电区和所述短路区形成电连接的集电极金属层。

10.一种如权利要求1至9中所述的逆导型IGBT的制备方法，其特征在于，包括：

提供第一导电类型衬底；

在所述衬底上方形成第一导电类型漂移层；

在所述漂移层上形成元胞区；

在所述漂移层上方采用第一掩膜版光刻形成第一离子注入窗口，通过所述第一离子注入窗口注入第一导电类型高能离子到所述漂移层，以在所述漂移层表面内于所述元胞区的周围形成第一导电类型截止环区；

在所述漂移层上方采用第二掩膜版光刻形成第二离子注入窗口，通过所述第二离子注入窗口注入第二导电类型高能离子到所述漂移层，以在所述漂移层表面内于所述元胞区和所述截止环区之间形成第二导电类型JTE区；

在所述衬底下方采用第三掩膜版光刻形成第三离子注入窗口，通过所述第三离子注入窗口注入第二导电类型高能离子到所述衬底，以在所述衬底下方形成第二导电类型集电极区；

在所述衬底下方采用所述第二掩膜版光刻形成第四离子注入窗口，通过所述第四离子注入窗口注入第一导电类型高能离子到所述衬底，以在所述衬底下方形成与所述集电极区邻接并与所述JTE区对齐的第一导电类型短路区。