[发明专利]一种抑制芯片漂移与翘曲的封装方法有效
| 申请号： | 202010148694.9 | 申请日： | 2020-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN111430250B | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 杨冠南;罗绍根;崔成强;张昱 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/54;H01L21/67;H01L23/13 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 王锦霞 |
| 地址： | 510060 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及电子加工的技术领域，更具体地，涉及一种抑制芯片漂移与翘曲的封装方法，包括：S10.在第一刚性载板制作凹槽，将待封装芯片安装于第二刚性载板上；S20.将第一颗粒物堆叠于待封装芯片和第二刚性载板上，将第一刚性载板倒扣盖合于第二刚性载板上方并压紧，使第一颗粒物无法发生移动；S30.在第一刚性载板侧部或上部注入内混合有第二颗粒物的熔融态塑封料，第一颗粒物的颗粒直径大于第二颗粒物的颗粒直径；S40.保持压力进行可控温度场式升温，使塑封料逐层固化；S50.拆除第一刚性载板、第二刚性载板及临时键合层。本发明采用两种颗粒大小的颗粒物，利用大颗粒材料相互挤压产生压力抑制塑封料及芯片的相对位移与热变形，可以防止芯片发生漂移并减少翘曲，同时利用先部分融化、后逐次固化的方法进一步减少翘曲。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抑制 芯片 漂移 封装 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东工业大学，未经广东工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010148694.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
