[发明专利]一种抑制芯片漂移与翘曲的封装方法

权利要求书

1.一种抑制芯片漂移与翘曲的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

S10.在第一刚性载板(1)制作凹槽(2)，将待封装芯片按照所需间隔和位置安装于覆盖有临时键合层(4)的第二刚性载板(3)上；

S20.先将第一颗粒物堆叠于待封装芯片和第二刚性载板(3)上，将第一刚性载板(1)盖合于第二刚性载板(3)上方使得第一颗粒物紧密堆叠；

S30.升温至塑封料玻璃转变温度以上，所述塑封料内混合有第二颗粒物，在第一刚性载板(1)侧部或上部注入熔融态塑封料；

S40.保持第一刚性载板(1)和第二刚性载板(3)之间的压力并进行可控温度场式升温，使所述塑封料逐层固化；

S50.待塑封料完全固化后，拆除第一刚性载板(1)、第二刚性载板(3)及临时键合层(4)，即得到塑封好的芯片封装结构；

其中，所述第一颗粒物的颗粒直径大于第二颗粒物的颗粒直径；

所述第一刚性载板(1)设有若干突起，一部分突起位于待封装芯片(8)间隔处，一部分突起位于待封装芯片(8)上方，一部分突起位于待封装芯片(8)的电路连接点或凸点位置。

2.根据权利要求1所述的抑制芯片漂移与翘曲的封装方法，其特征在于，所述第一颗粒物为二氧化硅颗粒或金属氧化物颗粒，所述第一颗粒物的颗粒尺寸为待封装芯片厚度的0.01倍～1倍，第一颗粒物的形状为不规则碎片状、树枝状、棒状、多面体、球体中的一种或多种的组合。

3.根据权利要求2所述的抑制芯片漂移与翘曲的封装方法，其特征在于，所述第一颗粒物的表面经粗糙化处理，所述粗糙化处理手段包括化学腐蚀、氧化处理、包覆处理。

4.根据权利要求2或3所述的抑制芯片漂移与翘曲的封装方法，其特征在于，所述第二颗粒物的颗粒尺寸不大于第一颗粒物颗粒尺寸的0.2倍。

5.根据权利要求1所述的抑制芯片漂移与翘曲的封装方法，其特征在于，所述突起为点状结构、线状结构或网格状结构。

6.根据权利要求1所述的抑制芯片漂移与翘曲的封装方法，其特征在于，所述第一刚性载板(1)的底部可为平面、弧形凹面、弧形凸面或台阶状平面。

7.根据权利要求6所述的抑制芯片漂移与翘曲的封装方法，其特征在于，所述第一刚性载板(1)开设有若干通孔(5)，所述通孔(5)的直径小于第一颗粒物的颗粒直径，一部分所述通孔(5)用于注入塑封料，一部分所述通孔(5)用于排气。

8.根据权利要求1所述的抑制芯片漂移与翘曲的封装方法，其特征在于，步骤S40中，可控温度场式升温的实现方法为：在第一刚性载板(1)和/或第二刚性载板(3)设置电热装置，通过控制第一刚性载板(1)和/或第二刚性载板(3)不同部位的热量输入调控温度场的分布。

9.根据权利要求1所述的抑制芯片漂移与翘曲的封装方法，其特征在于，步骤S40中，可控温度场式升温的实现方法为：在第一刚性载板(1)和/或第二刚性载板(3)的旁侧放置热辐射源(6)，在所述热辐射源(6)背面放置反光镜(7)，通过控制第一刚性载板(1)和/或第二刚性载板(3)不同部位的热量输入调控温度场的分布。