[发明专利]一种中空结构紧密结合型高性能硅/石墨化碳复合材料及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202010128669.4 | 申请日： | 2020-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN111313029A | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 王志国;郑彪;喻鹏;刘辉;武芳芳;张纯;罗华云 | 申请（专利权）人： | 湖南农业大学 |
| 主分类号： | H01M4/62 | 分类号： | H01M4/62;H01M4/38;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 北京天盾知识产权代理有限公司 11421 | 代理人： | 李琼芳;肖小龙 |
| 地址： | 410128 *** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供一种中空结构紧密结合型高性能硅/石墨化碳复合材料及其制备方法。所述硅/石墨化碳复合材料包括由硅颗粒构成的内层以及由石墨化碳材料构成的外层，内外层之间结合紧密且具有一定的间隙，形成中空结构；其制备方法具体为将二氧化硅与金属镁粉按一定比例均匀混合，混合物在一定二氧化碳流量的气氛下进行镁热还原，采用稀酸对还原产物进行处理，除去中间层杂质产物，即得到最终产品。本发明通过在二氧化碳气氛下进行镁热还原，一步生成硅和石墨化度高的碳材料，制得中空结构且结合紧密的硅基复合材料；该复合材料稳定性好，能有效缓冲硅体积膨胀，提高电化学性能，制备方法简单、能耗低，原料来源广泛，可以广泛应用于锂离子电池负极材料领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 中空 结构 紧密 结合 性能 石墨 复合材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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