[发明专利]一种薄膜体声波谐振器在审

专利信息
申请号: 202010128263.6 申请日: 2020-02-28
公开(公告)号: CN111490748A 公开(公告)日: 2020-08-04
发明(设计)人: 孙成亮;刘炎;蔡耀;邹杨;高超 申请(专利权)人: 武汉大学
主分类号: H03H9/17 分类号: H03H9/17
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人: 刘琰
地址: 430072 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供一种薄膜体声波谐振器,包括:上电极、压电层、下电极、上温度补偿层、中温度补偿层和下温度补偿层;上、中、下温度补偿层内嵌于上电极、压电层和下电极中;上、中、下温度补偿层由分别由任意形状的柱形结构组成;其中,柱形结构呈周期性分布,形成上、中、下散射体;上、中、下温度补偿层的散射体结构与分别与上电极、压电层、下电极构成上、中、下声子晶体结构。本发明通过嵌入多层温度补偿结构,可以与压电层形成多层声子晶体结构,一方面可以改变谐振器的温度频率系数,实现频率随温度的零漂移;另一方面,声子晶体结构能够在特定工作频率范围内对杂波进行屏蔽和抑制,可以大大提高谐振器的Q值。
搜索关键词: 一种 薄膜 声波 谐振器
【主权项】:
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