[发明专利]一种薄膜体声波谐振器

权利要求书

1.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括：上电极、压电层、下电极、上温度补偿层、中温度补偿层和下温度补偿层；其中：

上温度补偿层内嵌于上电极中，中温度补偿层内嵌于压电层中，下温度补偿层内嵌于下电极中；

上温度补偿层、中温度补偿层和下温度补偿层由分别由任意形状的柱形结构组成；其中，柱形结构在同一平面内的间距呈周期性分布，形成上、中、下散射体；

上温度补偿层的散射体结构与上电极构成上声子晶体结构；

中温度补偿层的散射体结构与压电层构成中声子晶体结构；

下温度补偿层的散射体结构与下电极构成下声子晶体结构。

2.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，上温度补偿层、中温度补偿层和下温度补偿层相互独立，上、中、下散射体间距不相同，且交替分布。

3.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，上温度补偿层和下温度补偿层包含在上、下电极内部，或者贯穿上、下电极，中温度补偿层贯穿压电层。

4.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，上、中、下声子晶体结构构成三组带隙结构。

5.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，中声子晶体结构为二维结构，上声子晶体结构和下声子晶体结构为一维结构或者二维结构。

6.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，温度补偿结构为负温度系数的低声阻抗薄膜材料，包括SiO₂。

7.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，压电层为具有压电效应的薄膜材料，包括氮化铝、氧化锌、铌酸锂。

8.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，底电极和顶电极均为金属薄膜，该金属薄膜为金属材料，包括钼、铂、金。