[发明专利]提高前照式图像传感器性能的方法及前照式图像传感器在审
| 申请号： | 202010128104.6 | 申请日： | 2020-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN113327950A | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 郑展;徐涛 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种提高前照式图像传感器性能的方法，在前照式图像传感器的光路结构中，形成至少有接触孔层金属的环形光学通路，通过光路结构中的若干金属层、接触孔层、多晶硅层的限定，进行光路结构开孔尺寸的组合设计，消除或降低光线发散导致的相邻感光单元的串扰，提高光路结构开孔尺寸的设计容忍度，实现更好的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 前照式 图像传感器 性能 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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